碳化硅 mosfet 文章最新資訊

固態(tài)隔離器如何與MOSFET或IGBT結(jié)合以優(yōu)化SSR？

固態(tài)繼電器（SSR）是各種控制和電源開關(guān)應(yīng)用中的關(guān)鍵組件，涵蓋白色家電、供暖、通風(fēng)和空調(diào) （HVAC）設(shè)備、工業(yè)過程控制、航空航天和醫(yī)療系統(tǒng)。固態(tài)隔離器利用無芯變壓器技術(shù)在 SSR 的高壓側(cè)和低壓側(cè)之間提供隔離。基于 CT 的固態(tài)隔離器（SSI）包括發(fā)射器、模塊化部分和接收器或解調(diào)器部分。每個(gè)部分包含一個(gè)線圈，兩個(gè)線圈由二氧化硅（SiO2）介電隔離柵隔開（圖 1）。磁耦合用于在兩個(gè)線圈之間傳輸信號。該技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)CMOS處理兼容，可用于分立隔離器或集成柵極驅(qū)動器IC。圖 1.分立 SSI 中使
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Microchip與臺達(dá)電子簽署碳化硅解決方案合作協(xié)議，共創(chuàng)電源管理未來

隨著人工智能（AI）快速發(fā)展與萬物電氣化進(jìn)程加速，市場對更高的電源效率與可靠性的需求持續(xù)增長。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日宣布與全球電源管理與智能綠色解決方案領(lǐng)導(dǎo)者臺達(dá)電子工業(yè)股份有限公司（Delta Electronics, Inc.）（以下簡稱“臺達(dá)電子”）簽署全新合作協(xié)議。雙方將攜手在臺達(dá)設(shè)計(jì)中應(yīng)用Microchip的mSiC?產(chǎn)品與技術(shù)，通過雙方合作加速創(chuàng)新型碳化硅（SiC）解決方案、節(jié)能產(chǎn)品及系統(tǒng)的開發(fā)，助力構(gòu)建更可持續(xù)的未來。Microchip負(fù)責(zé)高功
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iDEAL的SuperQ技術(shù)正式量產(chǎn)，推出150V與200V MOSFET

iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術(shù)現(xiàn)已全面量產(chǎn)，首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時(shí)，一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進(jìn)入送樣階段。SuperQ是過去25年來硅基MOSFET設(shè)計(jì)領(lǐng)域的首次重大突破，在硅功率器件中實(shí)現(xiàn)了前所未有的性能與效率提升。該架構(gòu)突破了硅材料在導(dǎo)通與開關(guān)方面的物理瓶頸，將n型導(dǎo)電區(qū)域擴(kuò)大至高達(dá)95%，并將開關(guān)損耗較競爭產(chǎn)品降低高達(dá)2.1倍。該結(jié)構(gòu)不僅改善了器件的電阻與功率損耗，同時(shí)保留了硅材料的諸多優(yōu)勢，包括高強(qiáng)度、量產(chǎn)能力強(qiáng)以及在175°C結(jié)溫下的可靠性
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選型必看！MOSFET四大非理想?yún)?shù)詳解

幾乎所有的書籍資料，在講解MOSFET的時(shí)候，都喜歡先從微觀結(jié)構(gòu)去分析MOSFET基于半導(dǎo)體特性的各種結(jié)構(gòu)，然后闡述這些結(jié)構(gòu)導(dǎo)致其參數(shù)的成因。但是這種方式對于物理基礎(chǔ)較弱的應(yīng)用型硬件工程師是非常不友好的，導(dǎo)致大家看了大量的表述沒有理解，沒有汲取到營養(yǎng)。各種三維、二維的圖形，各式各樣，也不統(tǒng)一。本章節(jié)，我們從應(yīng)用的角度，來看我們選擇一個(gè)開關(guān)的器件，當(dāng)選擇了一個(gè)MOSFET之后，他并不是一個(gè)完全理想的開關(guān)器件。通過其不理想的地方，理解他的一些關(guān)鍵參數(shù)。后續(xù)的內(nèi)容，我們再通過微觀結(jié)構(gòu)去理解一下導(dǎo)致這些參數(shù)的原因
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基本半導(dǎo)體子公司注冊資本增至2.1億元

7月9日，深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司子公司——基本封裝測試（深圳）有限公司完成工商變更登記，公司注冊資本從1000萬元大幅增至2.1億元人民幣，由母公司基本半導(dǎo)體和深圳市投控基石新能源汽車產(chǎn)業(yè)私募股權(quán)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）共同注資。此舉標(biāo)志著基本半導(dǎo)體在車規(guī)級碳化硅領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局又邁出重要一步，為后續(xù)研發(fā)創(chuàng)新和產(chǎn)能擴(kuò)充奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。戰(zhàn)略資本加持助力新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展本次增資得到了深圳市投控基石新能源汽車產(chǎn)業(yè)基金的戰(zhàn)略支持，是對基本半導(dǎo)體在新能源汽車功率器件領(lǐng)域技術(shù)積累和市場優(yōu)勢的充分認(rèn)可。該基金是
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基于onsemi NCP51752隔離式SiC MOSFET閘極驅(qū)動器評估板

NCP51752是隔離單通道柵極驅(qū)動器系列,源極和吸收峰電流分別為+4.5 A/-9A。它們設(shè)計(jì)用于快速切換以驅(qū)動功率MOSFET和SiC MOSFET功率開關(guān)。 NCP51752提供短而匹配的傳播延遲。為了提高可靠性、dV/dt免疫力，甚至更快地關(guān)閉，NCP51752具有嵌入式負(fù)偏置軌機(jī)制在GND2和VEE引腳之間。本用戶指南支持NCP51752的評估板。它應(yīng)該與NCP51752數(shù)據(jù)表以及onsemi的應(yīng)用說明和技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)一起使用。本文檔描述了孤立單體的擬
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Wolfspeed 1700 V MOSFET技術(shù)，助力重塑輔助電源系統(tǒng)的耐用性和成本

在幾乎所有電機(jī)驅(qū)動、電動汽車、快速充電器和可再生能源系統(tǒng)中，都會配備低功耗輔助電源。雖然相比于主要的功率級，此類電源通常受到的關(guān)注較少，但它們?nèi)允菐椭到y(tǒng)高效運(yùn)行的關(guān)鍵組成部分。提高系統(tǒng)可靠性、減小系統(tǒng)尺寸以及縮減系統(tǒng)成本，同時(shí)最大限度地降低風(fēng)險(xiǎn)并支持多源采購——設(shè)計(jì)人員不斷面臨這些經(jīng)常相互矛盾的挑戰(zhàn)。Wolfspeed 推出的工業(yè)級 C3M0900170x 和獲得車規(guī)級認(rèn)證 (AEC-Q101) 的 E3M0900170x 碳化硅 MOSFET 產(chǎn)品系列，可在 20 至 200 W 范圍內(nèi)增強(qiáng)輔助電源的
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CoolSiC? MOSFET G2如何正確選型

之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiC? MOSFET G2的產(chǎn)品特點(diǎn)及導(dǎo)通特性（參考閱讀： CoolSiC? MOSFET Gen2性能綜述， CoolSiC? MOSFET G2導(dǎo)通特性解析），今天我們分析一下在軟開關(guān)和硬開關(guān)兩種場景下，如何進(jìn)行CoolSiC? MOSFET G2的選型。G2在硬開關(guān)拓?fù)渲械膽?yīng)用除了R DS(on) ，開關(guān)損耗在SiC MOSFET的選型中也扮演著非常重要的角色。因?yàn)镾iC往往工
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基本半導(dǎo)體完成1.5億元D輪融資，加速碳化硅領(lǐng)域布局

近日，深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱“基本半導(dǎo)體”）宣布完成D輪融資，融資金額達(dá)1.5億元人民幣。本輪融資由中山火炬開發(fā)區(qū)科創(chuàng)產(chǎn)業(yè)母基金與中山金控聯(lián)合投資，資金將主要用于碳化硅功率器件的技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)能擴(kuò)張以及市場拓展?；景雽?dǎo)體成立于2016年，是一家專注于碳化硅功率器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)。其核心產(chǎn)品包括1200V/20A JBS碳化硅二極管、1200V平面柵碳化硅器件以及10kV/2A SiC PiN二極管等。這些產(chǎn)品以低損耗、高頻率等優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于電動汽車、軌道交通、光伏逆變器和航空航天等領(lǐng)
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羅姆的SiC MOSFET應(yīng)用于豐田全新純電車型“bZ5”

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應(yīng)用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中?！癰Z5”作為豐田與比亞迪豐田電動車科技有限公司（以下簡稱“BTET”）、一汽豐田汽車有限公司（以下簡稱“一汽豐田”）聯(lián)合開發(fā)的跨界純電動汽車，由一汽豐田于2025年6月正式發(fā)售。此次采用的功率模塊由羅姆與正海集團(tuán)的合資企業(yè)——上海海姆?？?/li>
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從單管到并聯(lián)：SiC MOSFET功率擴(kuò)展實(shí)戰(zhàn)指南

在10kW-50kW中高功率應(yīng)用領(lǐng)域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現(xiàn)并存趨勢。分立方案憑借更高設(shè)計(jì)自由度和靈活并聯(lián)擴(kuò)容能力突圍——當(dāng)單管功率不足時(shí)，只需并聯(lián)一顆MOSFET即可實(shí)現(xiàn)功率躍升，為工業(yè)電源、新能源系統(tǒng)提供模塊之外的革新選擇。然而，功率并非是選用并聯(lián)MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并聯(lián)還可以降低開關(guān)能耗，改善導(dǎo)熱性能?？紤]到熱效應(yīng)對導(dǎo)通損耗的影響，并聯(lián)功率開關(guān)管是降低損耗、改善散熱性能和提高輸出功率的有效辦法。然而，并非所有器件都適合并聯(lián)，因?yàn)閰?shù)差異會影響均流特性。本文
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 SiC MOSFET

據(jù)報(bào)道，Wolfspeed 將被 Apollo 領(lǐng)導(dǎo)的債權(quán)人接管，同時(shí)競爭對手將迎來機(jī)遇

據(jù)路透社援引彭博社報(bào)道，在關(guān)于即將破產(chǎn)的傳聞出現(xiàn)近一個(gè)月后，Wolfspeed 現(xiàn)在正面臨一次重大動蕩。由 Apollo 全球管理公司領(lǐng)導(dǎo)的債權(quán)人正準(zhǔn)備根據(jù)破產(chǎn)計(jì)劃接管公司。報(bào)道稱，這家陷入困境的碳化硅巨頭預(yù)計(jì)將在幾天內(nèi)公布一項(xiàng)預(yù)包裝破產(chǎn)計(jì)劃——旨在迅速削減數(shù)十億美元的債務(wù)。在鎖定重組協(xié)議后，Wolfspeed 將要求債權(quán)人就計(jì)劃進(jìn)行投票，然后正式申請第 11 章保護(hù)，報(bào)道補(bǔ)充道。由意法半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)的對頭將受益根據(jù) TrendForce 的觀察，由于破產(chǎn)程序的不確定性，Wolfspeed 的 Si
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中國最大碳化硅工廠點(diǎn)火，可供應(yīng)本地30%需求，Wolfspeed壓力很大

據(jù)當(dāng)?shù)孛襟w《一財(cái)全球》和IT之家報(bào)道，據(jù)報(bào)道，美國碳化硅（SiC）巨頭 Wolfspeed 在與快速崛起的中國競爭對手的激烈競爭中徘徊在破產(chǎn)邊緣，中國最大的碳化硅晶圓廠已在武漢正式投產(chǎn)，旨在供應(yīng)該國國內(nèi)產(chǎn)量的 30%。YiCai 報(bào)告稱，一個(gè) SiC 晶圓模型的車載測試最快將于下個(gè)月開始，而另外近 10 個(gè)模型已經(jīng)在驗(yàn)證中。不久之后將進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)和交付。IT Home 表示，該工廠的一期重點(diǎn)是功率器件，計(jì)劃年產(chǎn) 360,000 片 6 英寸 SiC 晶圓。另一方面，益財(cái)國際補(bǔ)充說，這足以支持超過 1
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東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。四款器件于今日開始支持批量出貨。四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體
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工程師必看！從驅(qū)動到熱管理：MOSFET選型與應(yīng)用實(shí)戰(zhàn)手冊

MOSFET因其獨(dú)特的性能優(yōu)勢，已成為模擬電路與數(shù)字電路中不可或缺的元件，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備、智能手機(jī)及便攜式數(shù)碼產(chǎn)品中。其核心優(yōu)勢體現(xiàn)在三個(gè)方面：驅(qū)動電路設(shè)計(jì)簡化，所需驅(qū)動電流遠(yuǎn)低于BJT，可直接由CMOS或集電極開路TTL電路驅(qū)動；開關(guān)速度優(yōu)異，無電荷存儲效應(yīng)，支持高速工作；熱穩(wěn)定性強(qiáng)，無二次擊穿風(fēng)險(xiǎn)，高溫環(huán)境下性能表現(xiàn)更穩(wěn)定。這些特性使MOSFET在需要高可靠性、高效率的場景中表現(xiàn)尤為突出。近年來，隨著汽車、通信、能源、消費(fèi)、綠色工業(yè)等大量應(yīng)用MOSFET產(chǎn)品的行業(yè)在近幾年來得到了快速的發(fā)
關(guān)鍵字： MOSFET