碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

中國最大碳化硅工廠點(diǎn)火，可供應(yīng)本地30%需求，Wolfspeed壓力很大

據(jù)當(dāng)?shù)孛襟w《一財(cái)全球》和IT之家報(bào)道，據(jù)報(bào)道，美國碳化硅（SiC）巨頭 Wolfspeed 在與快速崛起的中國競爭對手的激烈競爭中徘徊在破產(chǎn)邊緣，中國最大的碳化硅晶圓廠已在武漢正式投產(chǎn)，旨在供應(yīng)該國國內(nèi)產(chǎn)量的 30%。YiCai 報(bào)告稱，一個(gè) SiC 晶圓模型的車載測試最快將于下個(gè)月開始，而另外近 10 個(gè)模型已經(jīng)在驗(yàn)證中。不久之后將進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)和交付。IT Home 表示，該工廠的一期重點(diǎn)是功率器件，計(jì)劃年產(chǎn) 360,000 片 6 英寸 SiC 晶圓。另一方面，益財(cái)國際補(bǔ)充說，這足以支持超過 1
關(guān)鍵字：碳化硅 Wolfspeed

東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。四款器件于今日開始支持批量出貨。四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體
關(guān)鍵字：東芝 DFN8×8 650V SiC MOSFET

工程師必看！從驅(qū)動(dòng)到熱管理：MOSFET選型與應(yīng)用實(shí)戰(zhàn)手冊

MOSFET因其獨(dú)特的性能優(yōu)勢，已成為模擬電路與數(shù)字電路中不可或缺的元件，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備、智能手機(jī)及便攜式數(shù)碼產(chǎn)品中。其核心優(yōu)勢體現(xiàn)在三個(gè)方面：驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)簡化，所需驅(qū)動(dòng)電流遠(yuǎn)低于BJT，可直接由CMOS或集電極開路TTL電路驅(qū)動(dòng)；開關(guān)速度優(yōu)異，無電荷存儲效應(yīng)，支持高速工作；熱穩(wěn)定性強(qiáng)，無二次擊穿風(fēng)險(xiǎn)，高溫環(huán)境下性能表現(xiàn)更穩(wěn)定。這些特性使MOSFET在需要高可靠性、高效率的場景中表現(xiàn)尤為突出。近年來，隨著汽車、通信、能源、消費(fèi)、綠色工業(yè)等大量應(yīng)用MOSFET產(chǎn)品的行業(yè)在近幾年來得到了快速的發(fā)
關(guān)鍵字： MOSFET

內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊被SMA的太陽能系統(tǒng)采用

全球先進(jìn)的太陽能發(fā)電及儲能系統(tǒng)技術(shù)的專業(yè)企業(yè)SMA Solar Technology AG（以下簡稱“SMA”）在其太陽能系統(tǒng)新產(chǎn)品“Sunny Central FLEX”中采用了內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊?！癝unny Central FLEX”是為大規(guī)模太陽能發(fā)電設(shè)施、儲能系統(tǒng)以及下一代技術(shù)設(shè)計(jì)的模塊化平臺，旨在進(jìn)一步提高電網(wǎng)的效率和穩(wěn)定性。羅姆半導(dǎo)體歐洲總裁Wolfram Harnack表示：“羅姆新型2kV耐壓SiC MOSFETs是為1,500V DC鏈路實(shí)
關(guān)鍵字：羅姆 ROHM SiC MOSFET 功率模塊太陽能

利用 SMFA 系列非對稱 TVS 二極管實(shí)現(xiàn)高效 SiC MOSFET 柵極保護(hù)

引言碳化硅（ SiC）MOSFET在電源和電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。隨著功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展，開關(guān)損耗也在不斷降低。隨著開關(guān)速度的不斷提高，設(shè)計(jì)人員應(yīng)更加關(guān)注MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路，確保對MOSFET的安全控制，防止寄生導(dǎo)通，避免損壞功率半導(dǎo)體。必須保護(hù)敏感的MOSFET柵極結(jié)構(gòu)免受過高電壓的影響。Littelfuse提供高效的保護(hù)解決方案，有助于最大限度地延長電源的使用壽命、可靠性和魯棒性。柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)措施關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的穩(wěn)健性，有幾個(gè)問題值得考慮。除了驅(qū)動(dòng)器安全切換半導(dǎo)
關(guān)鍵字：碳化硅 MOSFET 電源功率半導(dǎo)體

電源管理小技巧：功率 MOSFET 特性

以Vishay SiE848DF的數(shù)據(jù)手冊圖作為參考示例，這是一款采用 PolarPAK? 封裝的 N 溝道 30 V 溝槽功率 MOSFET。MOSFET 的封裝限制為 60A 和 25°C。阻斷電壓是多少？阻斷電壓 BVDSS 是可以施加到 MOSFET 的最大電壓。當(dāng)驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載時(shí)，這包括施加的電壓加上任何感性感應(yīng)電壓。對于感性負(fù)載，MOSFET 兩端的電壓實(shí)際上可以是施加電壓的兩倍。MOSFET 的雪崩特性是什么？這決定了 MOSFET 在雪崩條件下可以承受多少能量。如果超過最大漏源電壓并且電流沖
關(guān)鍵字：電源管理 MOSFET 功率MOSFET

碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相

全社會都在積極推動(dòng)低碳化轉(zhuǎn)型，而低碳化的背后其實(shí)是電氣化。在新型電氣能源架構(gòu) 中，相比于從前，一次能源到終端用戶的能源轉(zhuǎn)換次數(shù)增多。雖然可再生能源是免費(fèi)的，但是這種多層級的能源轉(zhuǎn)換，每一步都會帶來一定的能耗損失，因此追求更高效的能源轉(zhuǎn)化效率至關(guān)重要。SiC正是功率半導(dǎo)體的能效提升技術(shù) ，它的出現(xiàn)滿足了低碳化時(shí)代兩大全新的市場需求：1能效創(chuàng)新： SiC技術(shù)在光伏、儲能、數(shù)據(jù)中心等大功率電源管理領(lǐng)域，能夠顯著
關(guān)鍵字：英飛凌碳化硅溝槽柵技

清純半導(dǎo)體和微碧半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品

近日，清純半導(dǎo)體和VBsemi（微碧半導(dǎo)體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品平臺，標(biāo)志著功率半導(dǎo)體技術(shù)在快充效率、高功率密度應(yīng)用等領(lǐng)域取得了重大突破。01清純半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺4月21日，清純半導(dǎo)體官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)平臺，該平臺首款主驅(qū)芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導(dǎo)通電阻低至8mΩ，比導(dǎo)通電阻系數(shù)Rsp達(dá)到2.1 mΩ·cm2，處于國際領(lǐng)先水平。source：清純半導(dǎo)體（圖為清純半導(dǎo)體1、2、3代產(chǎn)品比電阻Rs
關(guān)鍵字：清純半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體第3代 SiC MOSFET

碳化硅急需開辟電動(dòng)汽車之外的第二條戰(zhàn)線

電能與智能是現(xiàn)代社會發(fā)展的兩大主題，電能如同工業(yè)文明的血液系統(tǒng)，提供物理世界運(yùn)行的能量基礎(chǔ)，智能恰似數(shù)字文明的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，構(gòu)建數(shù)字空間的決策中樞。作為電能轉(zhuǎn)換的智能開關(guān)，功率半導(dǎo)體在構(gòu)建現(xiàn)代社會能源體系中發(fā)揮著關(guān)鍵性的樞紐作用，通過對電壓、電流和頻率的精準(zhǔn)調(diào)控，功率半導(dǎo)體可以有效地提升電能轉(zhuǎn)換效率。經(jīng)過七十年的發(fā)展，功率半導(dǎo)體經(jīng)歷了兩次大的技術(shù)升級，第一次是以硅基IGBT 和CoolMOS為代表的第二代功率器件替代以可控硅晶閘管和MOSFET為代表的第一代功率器件，由于同屬硅基材料體系，第二代功率器件兼具成
關(guān)鍵字： 202504 碳化硅電動(dòng)汽車

SiC MOSFET如何提高AI數(shù)據(jù)中心的電源轉(zhuǎn)換能效

如今所有東西都存儲在云端，但云究竟在哪里？答案是數(shù)據(jù)中心。我們對圖片、視頻和其他內(nèi)容的無盡需求，正推動(dòng)著數(shù)據(jù)中心行業(yè)蓬勃發(fā)展。國際能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行業(yè)的迅猛發(fā)展正導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心電力需求激增。預(yù)計(jì)在 2022 年到 2025 年的三年間，數(shù)據(jù)中心的耗電量將翻一番以上。這不僅增加了運(yùn)營成本，還給早已不堪重負(fù)的老舊電力基礎(chǔ)設(shè)施帶來了巨大的壓力，亟需大規(guī)模的投資升級。隨著數(shù)據(jù)中心耗電量急劇增加，行業(yè)更迫切地需要能夠高效轉(zhuǎn)換電力的功率半導(dǎo)體。這種需求的增長一方面是為了降低運(yùn)營成本
關(guān)鍵字： SiC MOSFET AI數(shù)據(jù)中心電源轉(zhuǎn)換能效

碳化硅能效革命核心突破點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解

安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管（SiC JFET cascode）在硬開關(guān)與軟開關(guān)應(yīng)用場景中展現(xiàn)出顯著技術(shù)優(yōu)勢。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應(yīng)用指南》系列文檔，通過三篇技術(shù)解析深入剖析器件特性，本文作為開篇之作，將聚焦闡釋cascode結(jié)構(gòu)的核心機(jī)理。該指南不僅系統(tǒng)闡述共源共柵器件的拓?fù)浼軜?gòu)，更對關(guān)鍵電參數(shù)、獨(dú)特性能優(yōu)勢及設(shè)計(jì)支持體系進(jìn)行全方位解讀，為功率半導(dǎo)體開發(fā)者提供從基礎(chǔ)理論到實(shí)踐應(yīng)用的完整技術(shù)指引。Cascode簡介碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其
關(guān)鍵字：安森美碳化硅共源共柵 cascode

碳化硅技術(shù)賦能EA10000系列電源的技術(shù)解析與優(yōu)勢對比

_____為了減緩氣候變化，人類在非化石燃料和可再生能源解決方案方面取得了顯著進(jìn)展，交通領(lǐng)域的電氣化進(jìn)程也在加速推進(jìn)。這些新興技術(shù)大多對電源提出了更高的要求，尤其是對大功率的需求。例如，電動(dòng)汽車（EV）的電池包電壓已高達(dá)900 VDC以上，容量可達(dá)95kWh；快充和超充系統(tǒng)功率更是輕松突破240kW。氫燃料電池堆作為另一種汽車供電技術(shù)，其功率可超過500kW，電流高達(dá)1000A。市場需求下的挑戰(zhàn)一方面，我們需要擺脫化石燃料，另一方面，全球能耗又在不斷攀升。服務(wù)器農(nóng)場就是一個(gè)能源需求更高的例子。為了有足夠的
關(guān)鍵字：碳化硅碳化硅MOSFET

英飛凌攜手Enphase通過600V CoolMOS? 8提升能效并降低MOSFET相關(guān)成本

Enphase Energy采用全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的?600 V CoolMOS? 8高壓超結(jié)（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列，簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并降低了裝配成本。Enphase Energy是全球能源技術(shù)公司、基于微型逆變器的太陽能和電池系統(tǒng)的領(lǐng)先供應(yīng)商。通過使用600 V CoolMOS? 8 SJ，Enphase顯著降低了其太陽能逆變器系統(tǒng)的?MOSFET?內(nèi)阻（RDS(on)），進(jìn)而減
關(guān)鍵字：英飛凌 Enphase CoolMOS MOSFET

Nexperia推出采用行業(yè)領(lǐng)先頂部散熱型封裝X.PAK的1200V SiC MOSFET

Nexperia正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色，采用創(chuàng)新的表面貼裝?(SMD)?頂部散熱封裝技術(shù)X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技術(shù)在封裝環(huán)節(jié)的便捷優(yōu)勢以及通孔技術(shù)的高效散熱能力，確保優(yōu)異的散熱效果。此次新品發(fā)布精準(zhǔn)滿足了眾多高功率（工業(yè)）應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ψ至⑹絊iC MOSFET不斷增長的需求，該系列器件借助頂部散熱技術(shù)的優(yōu)勢，得以實(shí)現(xiàn)卓越的熱性
關(guān)鍵字： Nexperia SiC MOSFET

第17講：SiC MOSFET的靜態(tài)特性

商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強(qiáng)，在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。1. 正向特性圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態(tài)特性。由于MOSFET是單極性器件，沒有內(nèi)建電勢，所以在低電流區(qū)域，SiC MOSFET的通態(tài)壓降明顯低于Si IGBT的通態(tài)壓降；在接近額定電流時(shí)，SiC MOSFET的通態(tài)壓降幾乎與Si IGBT相同。對于經(jīng)常以低于額定電流工作的應(yīng)用，使用SiC
關(guān)鍵字：三菱電機(jī) SiC MOSFET